3、超浅沟槽隔离结构（USTI）：这个STI深度相对常规STI（浅槽隔离）工艺较浅，侧壁角度也进行了优化，用于实现漂移区的场板隔离结构，并研究了这层USTI的深度优化值以及侧壁刻蚀角度的优化值，得到最佳的耐压与导通电阻的匹配。
　　4、表面场氧隔离与金属场板结合：为进一步降低导通电阻，采取淀积表面氧化层作为隔离结构。金属场板使器件表面电场分布更加均匀，从而提高器件击穿电压；而表面场氧隔离给电流提供了平行的导电通路，使器件比导通电阻只有传统DoubleRESURFLDMOS的2/3。
　　5、版图优化：该LDMOS的版图设计为跑道型结构，同时为了降低指尖状源极和指尖状漏极的曲率效应。
　　由于BCD集成电路在各个领域有广泛的用途，国外在这方面做了深入的研究，高性能LDMOS取得很大发展，但是国内对于这方面的研究还处于起步阶段，无论是电气参数，还是可靠性等级，基于高性能LDMOS器件的高压集成电路的研究水平方面均呈明显的劣势。因此，研究和设计用于功率集成电路的高性能LDMOS有助于弥补我国在这方面的空缺，促进我国电子行业的发展。
　　参考文献
　　[1]杨银堂，朱海刚.BCD集成电路技术的研究与进展[J].微电子学.2006，36（3）：315-319.
　　[2]刘汝刚，刘佳，王树振.BCD智能功率集成技术简述[J].微处理机.2012，1：20-22.

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