5溶胶一凝胶技术

　　溶胶-凝胶技术制备薄膜的装置简单，成本低；易于有效控制薄膜的成分及结构；能在温和条件下制备出多种功能的薄膜材料；可以在各种不同形状、不同材料的基底上制备大面积薄膜。

　　在全宝富[20]等人的实验中，掺杂4%和5%的Sn可使ITO薄膜导电性最好；电阻率随着退火温度的升高而降低，然而过高的温度会引起镀层的脱落。600～700℃退火1h有较低的电阻。马颖[21]等发现提高Sn的掺杂浓度可以提高透过率。用掺杂20%的Sn制备薄膜并进行退火，发现低于475℃的退火对透过率影响不大，超过该温度后的退火使得透过率迅速下降。在450℃下进行退火，开始方阻较大，随着退火时间加长迅速下降，到15min可达到最低，之后变化不大。退火时间较短时透过率较高；随着退火时间的加长，透过率降低；超过15min之后下降缓慢；30min之后基本不变。袁红梅[22]等证实随着掺Sn量的增加和退火温度的升高，薄膜的方阻迅速下降，在掺Sn量为15%、退火温度为450℃时，方阻最小，导电性最好。透过率随着掺Sn量增加而增大，超过10%后变化不大。退火时间对透过率的影响不大，平均80%。随着镀膜次数的增加，薄膜方阻呈非线性减小，大于五层后趋于稳定；透过率曲线向长波方向移动。

　　6结语

　　由于TCO应用领域扩大，需求量增加，铟的价格相对较贵，In2O3基薄膜不能完全满足日益增长的应用需求，人们继续努力寻找新的功能材料、更合适的制备参数，从而掀起ZnO基薄膜的研究热。

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